[发明专利]一种基于HSPICE和weibull函数的SRAM单粒子加固电路仿真方法

权利要求书

1.一种基于HSPICE和weibull函数的SRAM单粒子加固电路仿真方法，其特征在于，包括：

步骤1：构建SRAM加固单元的读写仿真电路结构，所述读写仿真电路结构包括SRAM加固单元以及两个三态门，其中，所述两个三态门的输出端对应连接所述SRAM加固单元的第一位线和第二位线，所述SRAM加固单元的字线输入外部字线控制电压；

步骤2：通过控制所述三态门的输出以及所述外部字线控制电压，对所述SRAM加固单元进行读操作和写操作仿真验证；

步骤3：获取weibull函数电流源，根据所述weibull函数电流源以及所述读写仿真电路结构，对SRAM加固单元的进行单粒子效应仿真；

其中，利用weibull函数对单粒子效应数据拟合得到所述weibull函数电流源。

2.根据权利要求1所述的基于HSPICE和weibull函数的SRAM单粒子加固电路仿真方法，其特征在于，所述三态门用于产生高电平、低电平和高阻态三种控制信号。

3.根据权利要求1所述的基于HSPICE和weibull函数的SRAM单粒子加固电路仿真方法，其特征在于，所述步骤2包括：

步骤2.1：通过控制所述三态门的输出以及所述外部字线控制电压，对所述SRAM加固单元进行写操作仿真验证，包括：

控制所述外部字线控制电压将所述字线置为高电平，控制所述三态门的输出将所述第一位线和所述第二位线置为高低相反的两个电平，观测所述SRAM加固单元的第一存储节点和第二存储节点的电位变化，根据观测结果判断写操作是否成功；

步骤2.2：通过控制所述三态门的输出以及所述外部字线控制电压，对所述SRAM加固单元进行读操作仿真验证，包括：

控制所述三态门的输出将所述第一位线和所述第二位线均置为高电平后控制两个三态门的输出均为高阻态控制信号，控制所述外部字线控制电压将所述字线置为高电平，观测所述第一位线和所述第二位线的电位变化，根据观测结果判断读操作是否成功。

4.根据权利要求1所述的基于HSPICE和weibull函数的SRAM单粒子加固电路仿真方法，其特征在于，在所述步骤3中，获取weibull函数电流源，包括：

实验仿真得到的所述单粒子效应数据；

对所述单粒子效应数据进行weibull函数拟合，得到所述weibull函数电流源，所述weibull函数电流源的拟合公式表示为：

其中，t表示时间变量，a表示第一拟合参数，b表示第二拟合参数、c表示第三拟合参数，其中，

式中，AP表示脉冲电流在0-t_p时间内的积分，t_p表示脉冲电流的峰值对应的时间，A表示电流脉冲与时间的积分，H表示脉冲电流的峰值。

5.根据权利要求1所述的基于HSPICE和weibull函数的SRAM单粒子加固电路仿真方法，其特征在于，在所述步骤3中，根据所述weibull函数电流源以及所述读写仿真电路结构，对SRAM加固单元的进行单粒子效应仿真，包括：

改变所述weibull函数电流源的能量，得到不同能量的weibull函数电流源；

利用HSPICE工具在所述读写仿真电路结构中的SRAM加固单元的所有敏感节点依次添加所述不同能量的weibull函数电流源；

验证每个敏感节点在添加不同能量的weibull函数电流源的情况下是能否抵抗单粒子翻转效应，实现对所述SRAM加固单元的单粒子效应仿真。