[发明专利]一种自驱动偏振敏感探测器及制备方法在审

专利信息
申请号: 202211581128.2 申请日: 2022-12-09
公开(公告)号: CN115763589A 公开(公告)日: 2023-03-07
发明(设计)人: 李京波;卜娜布其;霍能杰 申请(专利权)人: 浙江芯科半导体有限公司
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032;H01L31/108;H01L31/18
代理公司: 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 代理人: 徐晶晶
地址: 310000 浙江省杭州市富*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种自驱动偏振敏感探测器,包括:衬底;InSe层和1T’‑MoTe2层,所述InSe层和1T’‑MoTe2层分别设置在所述衬底上并将部分1T’‑MoTe2层转移至所述InSe层上,使得InSe层与1T’‑MoTe2层构成异质结;第一电极及第二电极,所述InSe层上设有第一电极,所述1T’‑MoTe2层设有第二电极。本发明选用零带隙、导电性好、具有各向异性的1T’‑MoTe2单晶和低暗电流、迁移率高的InSe单晶搭建异质结,构成具有肖特基势垒的金半接触,利用InSe单晶和1T’‑MoTe2单晶的接触电势差收集传输载流子。同时,1T’‑MoTe2单晶的各向异性使得探测器具有偏振性能,对于不同方向的偏振光吸收不同。
搜索关键词: 一种 驱动 偏振 敏感 探测器 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江芯科半导体有限公司,未经浙江芯科半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202211581128.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top