[发明专利]一种晶圆处理方法有效
| 申请号： | 202211575189.8 | 申请日： | 2022-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN115831774B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 张越;刘天建;潘超 | 申请（专利权）人： | 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/311;B23K26/38;B23K26/70 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张李静;王黎延 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市武汉东湖新技*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种晶圆处理方法，所述晶圆处理方法包括：提供晶圆；所述晶圆包括切割道；所述切割道包括测试区域和位于所述测试区域之间的缓冲区域；所述缓冲区域包括形成于衬底上的介质层；在所述缓冲区域的所述介质层中形成保护结构；形成覆盖所述测试区域和所述缓冲区域的保护层；所述保护结构的熔沸点高于所述介质层和所述保护层的熔沸点；对所述保护层执行激光切割，去除所述保护层中覆盖所述保护结构的部分，以在所述保护层中形成暴露所述保护结构的开口。本公开在晶圆切割道的缓冲区域形成具有高熔沸点的保护结构，通过激光切割去除保护层中覆盖保护结构的部分，避免介质层在激光切割的过程中产生熔渣和崩边，提高晶圆切割后芯片的洁净度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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