[发明专利]一种发光二极管及发光装置在审
申请号: | 202211541638.7 | 申请日: | 2022-12-02 |
公开(公告)号: | CN115799419A | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 陈功;陈剑斌;臧雅姝;江宾;张中英;黄少华;曾炜竣 | 申请(专利权)人: | 厦门三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/38 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种发光二极管,其包括半导体叠层、第一电极和第二电极,半导体叠层具有台面、侧壁、相对的下表面和上表面,半导体叠层由下表面到上表面依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层,台面与半导体叠层上表面同侧,侧壁是指连接上表面和台面的侧面,第一电极电连接第一半导体层,第二电极电连接第二半导体层。台面具有凹槽,凹槽延伸至第一半导体层内,第一电极具有靠近侧壁的第一侧壁,第一侧壁至少部分设置在凹槽内。通过凹槽的设置,可实现分层调节电流的走向,减少电流拥挤效应,从而起到增加电流扩展的作用,有效提升发光二极管的载流子注入效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 发光 装置 | ||
【主权项】:
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