[发明专利]一种发光二极管及发光装置在审

专利信息
申请号: 202211541638.7 申请日: 2022-12-02
公开(公告)号: CN115799419A 公开(公告)日: 2023-03-14
发明(设计)人: 陈功;陈剑斌;臧雅姝;江宾;张中英;黄少华;曾炜竣 申请(专利权)人: 厦门三安光电有限公司
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/38
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 361100 福建省厦门市*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种发光二极管,其包括半导体叠层、第一电极和第二电极,半导体叠层具有台面、侧壁、相对的下表面和上表面,半导体叠层由下表面到上表面依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层,台面与半导体叠层上表面同侧,侧壁是指连接上表面和台面的侧面,第一电极电连接第一半导体层,第二电极电连接第二半导体层。台面具有凹槽,凹槽延伸至第一半导体层内,第一电极具有靠近侧壁的第一侧壁,第一侧壁至少部分设置在凹槽内。通过凹槽的设置,可实现分层调节电流的走向,减少电流拥挤效应,从而起到增加电流扩展的作用,有效提升发光二极管的载流子注入效率。
搜索关键词: 一种 发光二极管 发光 装置
【主权项】:
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