[发明专利]一种抗热冲击的MEMS热电堆芯片在审
| 申请号： | 202211540019.6 | 申请日： | 2022-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN115996619A | 公开（公告）日： | 2023-04-21 |
| 发明（设计）人： | 侯海港;刘军林;乔冠军;刘桂武;郝俊操;夏松敏;陈杰 | 申请（专利权）人： | 微集电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H10N10/13 | 分类号： | H10N10/13;H10N10/17;B81B7/02 |
| 代理公司： | 合肥市泽信专利代理事务所(普通合伙) 34144 | 代理人： | 潘飞 |
| 地址： | 215124 江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于红外传感器技术领域，具体涉及一种抗热冲击的MEMS热电堆芯片。芯片包括由下至上叠层设置的衬底、支撑层、热电堆层和光学吸收层。热电堆层包括由多个彼此串联的热电偶依次排列进而构成一个双层的热电偶阵列，以及包裹在热电偶阵列外的隔离层。其中，每条热电偶的热结端均位于衬底的中央，形成热结区域；每条热电偶的冷结端均位于靠近衬底周向边缘的区域，形成冷结区域。热电堆中的冷结区域和热结区域均位于对应衬底中镂空部分的区域。各热电偶的冷结端距衬底实心区域距离相同。光学吸收层位于热电堆层上表面对应热结区域的位置。本发明解决了传统MEMS热电堆芯片在温度剧烈变化条件下容易发生热失衡和产生信号过冲现象的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抗热 冲击 mems 热电 芯片 | ||
【主权项】：
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