[发明专利]一种基于神经网络模型的DRAM储存器性能预测方法和系统在审
| 申请号： | 202211529939.8 | 申请日： | 2022-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN115762617A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 蒋洪湖;曾祥卫;皂慧丽;刘石柱;赵春辉 | 申请（专利权）人： | 深圳市章江科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08;G11C29/50;G11C29/56;G06N3/04;G06N3/08 |
| 代理公司： | 深圳市中科云策知识产权代理有限公司 44862 | 代理人： | 何晓 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区沙头街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本说明书实施例提供一种基于神经网络模型的DRAM储存器性能预测方法和系统，其中，所述方法包括：设定测试参数；根据测试参数对DRAM储存器的至少一部分进行测试，获取测试数据；对测试数据进行预处理，获取处理后的数据；基于处理后的数据，通过神经网络模型预测DRAM储存器的至少一部分的性能，得到性能数据，具有可以对DRAM储存器的性能进行预测，可以有效预防DRAM储存器发生失效或故障的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 神经网络 模型 dram 储存器 性能 预测 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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