[发明专利]抑制电流崩塌的高耐压增强型HEMT器件

摘要

本发明提供一种抑制电流崩塌的高耐压增强型HEMT器件，包括衬底、GaN层、AlxGa1‑xN层，AlxGa1‑xN层上从左到右依此设有源极、P‑GaN栅、P‑GaN空穴注入结构、漏极，高阻盖帽层覆盖于P‑GaN栅、栅金属、P‑GaN空穴注入结构、漏极上表面、以及P‑GaN栅源侧至漏极之间的AlxGa1‑xN层上表面区域，本发明中的空穴注入结构可以足够靠近栅极，使得表面陷阱复合的更充分；同时避免了长距离的表面电荷传输，从而带来了更快的表面电荷转移，提高了表面陷阱复合效率，以达到空穴注入的最佳效果。本发明在抑制电流崩塌效应的同时不会造成器件漂移区的缩短，避免了器件耐压能力的下降。