[发明专利]提高栅氧耐压性能的MOS结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202211522319.1 | 申请日： | 2022-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN115863410A | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 潘嘉;杨继业 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L23/48;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高栅氧耐压性能的MOS结构，包括衬底，衬底上形成有外延层，在外延层上形成有沟槽的剖面为酒瓶形，沟槽的顶端侧壁形成有第一氧化层，沟槽的其余部分上形成有第二氧化层，位于凹槽底部的第二氧化层的厚度大于其在凹槽侧壁的厚度；形成与第一、二氧化层上且填充凹槽的栅极结构；用于引出栅极结构的金属互连结构。本发明改善了沟槽底部的栅氧耐压性能，提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 耐压 性能 mos 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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