[发明专利]基于全二维材料的室温全电控磁存储单元及存储器在审
| 申请号： | 202211512938.2 | 申请日： | 2022-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN115942755A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 王开友;朱文凯;林海龙;兰修凯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N59/00;H10N50/85;H10N50/10;H10N50/80 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 郭梦雅 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种基于全二维材料的室温全电控磁存储单元，包括自下而上堆叠设置的强自旋轨道耦合范德华层、室温范德华磁性自由层、范德华空间层和室温范德华磁性固定层；强自旋轨道耦合范德华层由具有低对称性晶体结构的强自旋轨道耦合二维材料构成，在施加电信号时产生面外极化的自旋流，驱动室温范德华磁性自由层实现定向无外磁场纯电控翻转；室温范德华磁性自由层为具有超室温居里温度且垂直磁各向异性的二维磁性层，磁矩方向通过电信号极性控制；范德华空间层由具有半导体或绝缘体带隙和电阻率的二维范德华材料构成；室温范德华磁性固定层为具有超室温居里温度且垂直磁各向异性的二维磁性层，磁矩方向固定，不随电信号极性变化。还提供一种磁存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 二维 材料 室温 全电控磁 存储 单元 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211512938.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
