[发明专利]一种一次性可编程存储单元在审
| 申请号： | 202211484206.7 | 申请日： | 2022-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN115993933A | 公开（公告）日： | 2023-04-21 |
| 发明（设计）人： | 毕津顺 | 申请（专利权）人： | 天津市滨海新区微电子研究院 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300450 天津市滨海新*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种一次性可编程存储单元，其特征在于，包括N型沟道晶体管M1、P型沟道晶体管M2、字线WL、左位线LBL和右位线RBL，其中，所述N型沟道晶体管M1的栅极连接所述字线WL、源极连接所述左位线LBL、漏极连接所述P型沟道晶体管M2的漏极；所述P型沟道晶体管M2的栅极连接所述字线WL、源极连接所述右位线RBL；所述字线WL、所述左位线LBL和所述右位线RBL分别连接第一、第二、和第三电源模块。该可编程存储单元是一种CMOS(互补金属氧化物半导体)结构，存储单元结构简单，与逻辑工艺兼容，在保证可靠性的前提下成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 一次性 可编程 存储 单元 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津市滨海新区微电子研究院，未经天津市滨海新区微电子研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211484206.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
