[发明专利]一种一次性可编程存储单元在审
| 申请号： | 202211484206.7 | 申请日： | 2022-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN115993933A | 公开（公告）日： | 2023-04-21 |
| 发明（设计）人： | 毕津顺 | 申请（专利权）人： | 天津市滨海新区微电子研究院 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300450 天津市滨海新*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 一次性 可编程 存储 单元 | ||
【权利要求书】：
1.一种一次性可编程存储单元，其特征在于，包括N型沟道晶体管M1、P型沟道晶体管M2、字线WL、左位线LBL和右位线RBL，其中，所述N型沟道晶体管M1的栅极连接所述字线WL、源极连接所述左位线LBL、漏极连接所述P型沟道晶体管M2的漏极；所述P型沟道晶体管M2的栅极连接所述字线WL、源极连接所述右位线RBL；所述字线WL、所述左位线LBL和所述右位线RBL分别连接第一、第二、和第三电源模块。
2.根据权利要求1所述的一次性可编程存储单元，其特征在于，所述第一、第二和第三电源模块分别用于在所述一次性可编程存储单元进行编程操作时输出高电平、高电平和低电平。
3.根据权利要求2所述的一次性可编程存储单元，其特征在于，所述高电平远大于所述N型沟道晶体管M1的阈值电压，并且大于所述P型沟道晶体管M2的栅介质的击穿电压。
4.根据权利要求1所述的一次性可编程存储单元，其特征在于，所述第一、第二和第三电源模块分别用于在所述一次性可编程存储单元进行读取操作时保持高电平、高电平和电学浮空。
5.根据权利要求4所述的一次性可编程存储单元，其特征在于，所述高电平大于所述N型沟道晶体管M1的阈值电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津市滨海新区微电子研究院，未经天津市滨海新区微电子研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211484206.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
