[发明专利]一种调控三元材料(010)晶面优先生长的制备方法

摘要

本发明属于锂离子电池材料技术领域，公开了一种调控三元材料(010)晶面优先生长的制备方法。所述三元材料的分子式为LiMmW1‑mO2@LiNixCoyMnzW1‑x‑y‑zO2，其中M为Ni、Co、Mn、Al中的一种或几种，0.5≤m≤1，0.6≤x≤0.9；0.9≤x+y+z≤1。所述三元材料为一次纳米片聚集的二次微米球状结构，二次微米球体平均直径为4‑7μm，一次纳米片长度为400‑700nm，宽度为50‑150nm，曝露晶面为(010)晶面。所述调控三元材料(010)晶面优先生长的具体制备方法为：在三元前驱体合成过程中，通过喷洒或旋转喷洒的方式加入钨源，进一步在锂化过程中分段烧结，使其在低温预烧下能够稳定形成(010)晶面基底，然后在高温烧结下(010)晶面继续成型与稳定。本发明所制备的掺杂材料元素分布均匀，结晶性能好，稳定性高。