[发明专利]旁路超结绝缘栅场效应管及其制造方法、电子元件在审
| 申请号： | 202211472090.5 | 申请日： | 2022-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN115985964A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 盛况;王宝柱;王珩宇;任娜 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人： | 陈靖康 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开涉及旁路超结绝缘栅场效应管及其制造方法、电子元件。该方法包括：在预制半导体结构形成沟槽并得到半导体结构，其中，沟槽自源极侧延伸入半导体结构；形成沿沟槽的内壁面延展的绝缘层；形成介电层，其中，绝缘层位于介电层与半导体结构之间；以及形成延伸电极，其中，介电层位于延伸电极与绝缘层之间。该方法可以形成具有较好阻断能力和长期可靠性的旁路超结绝缘栅场效应管。 | ||
| 搜索关键词： | 旁路 绝缘 场效应 及其 制造 方法 电子元件 | ||
【主权项】：
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