[发明专利]一种低欧姆接触GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202211455577.2 | 申请日： | 2022-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN115985958A | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 张进成;杜航海;刘志宏;郝璐;高广杰;邢伟川;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种低欧姆接触GaN基高电子迁移率晶体管，包括：源极、漏极、栅极和由下至上依次设置的衬底、缓冲层、沟道层、氮化铝势垒层和氮化硅帽层；栅极设置在氮化硅帽层上；源极和漏极均穿过氮化硅帽层延伸至氮化铝势垒层和氮化硅帽层的界面；或者源极和漏极一部分穿过氮化硅帽层延伸至氮化铝势垒层和氮化硅帽层的界面，另一部分穿过氮化硅帽层延伸至氮化铝势垒层内；源极和漏极的材料中含有金属硅化物。本发明还提供一种低欧姆接触GaN基异质结晶体管的制备方法。本发明能够降低基于氮化铝势垒层的射频器件的欧姆接触势垒，有效减小源极和漏极与二维电子气沟道之间的欧姆接触电阻，降低工艺复杂度的同时提高了器件的射频性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 欧姆 接触 gan 电子 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院，未经西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211455577.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：胚胎移植可调节弹力弹射器
- 下一篇：光伏清扫机器人的控制方法和相关设备
- 同类专利
- 专利分类
