[发明专利]一种集成平面聚焦透镜结构的内线转移CCD及其制作方法在审
| 申请号: | 202211450852.1 | 申请日: | 2022-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN115663007A | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
| 发明(设计)人: | 吴雪飞;王国鑫;张莉;王巨燕;向长江;周政;张洋 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148 |
| 代理公司: | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人: | 廖宇 |
| 地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种集成平面聚焦透镜结构的内线转移CCD及其制作方法,包括提供一制备好的外延片;对所述外延片的上表面执行表面平坦化操作,在所述外延片的上表面形成一平坦化层;在所述平坦化层的上表面制作一平面结构的超表面层,其中,所述超表面层用于对入射光进行聚焦。本发明相比于原有的透镜结构,采用稳定的无机材料替代原有的微透镜采用有机材料制备得到,使得本发明的透镜结构能够适应的工艺温度范围更广,器件的可靠性显著增强,同时采用2D的透镜结构代替3D的微透镜结构,保持了器件表面的平整性,可进一步与其他的片上集成工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 集成 平面 聚焦 透镜 结构 内线 转移 ccd 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所,未经中国电子科技集团公司第四十四研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202211450852.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:工程施工项目管理系统
- 下一篇:一种垂直循环立体车库传动装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





