[发明专利]去除厚铝刻蚀中的条状聚合物的方法在审
申请号: | 202211445399.5 | 申请日: | 2022-11-18 |
公开(公告)号: | CN115863167A | 公开(公告)日: | 2023-03-28 |
发明(设计)人: | 张振兴 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213;B81C1/00 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种去除厚铝刻蚀中的条状聚合物的方法,包括:步骤一、在底层结构上的第一氧化层的表面形成铝层,形成光刻胶图形。步骤二、采用第一次干法刻蚀工艺对铝层进行刻蚀以及对第一氧化层进行过刻蚀,过刻蚀的刻蚀气体采用含氯气体,以减少聚合物累积。步骤三、进行灰化处理以去除光刻胶图形以及聚合物,在灰化处理中还包括采用循环冲刷来剥离残留的光刻胶图形和聚合物。步骤四、在酸槽中进行湿法剥离工艺,湿法剥离工艺将湿法刻蚀时间分割从而形成多次湿法分段刻蚀,在各次湿法分段刻蚀完成后都进行多次冲洗,通过湿法分段刻蚀减少每次刻蚀时间,使酸槽的酸液保持新鲜,提高剥离效果。本发明能提高对厚度刻蚀中产生的聚合物的去除效果。 | ||
搜索关键词: | 去除 刻蚀 中的 条状 聚合物 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造