[发明专利]一种射频芯片的测试方法在审
| 申请号： | 202211436832.9 | 申请日： | 2022-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN115692233A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 许根泉;张熠;胥怡心 | 申请（专利权）人： | 苏州赛迈测控技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215100 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种射频芯片的测试方法，射频晶圆包括器件区域及围绕器件区域的外围区域，器件区域中具有若干阵列分布的射频芯片，外围区域中具有若干测试焊盘组，测试焊盘组与射频芯片一一对应，每个测试焊盘组中具有若干测试焊盘，测试焊盘组中的测试焊盘与相应的射频芯片的引出端对应电性连接，利用晶圆级射频探针台对射频晶圆进行电性测试，晶圆级射频探针台的探针与相应的测试焊盘组中的测试焊盘接触，以获取射频晶圆中合格的射频芯片。测试时，探针只会接触测试焊盘，避免探针和射频芯片的引出端之间的压力过大损坏射频芯片，提高了射频芯片的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 芯片 测试 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州赛迈测控技术有限公司，未经苏州赛迈测控技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211436832.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
