[发明专利]一种集成电容器及其制备方法在审
| 申请号： | 202211436445.5 | 申请日： | 2022-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN116113314A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 雷嘉成;彭昊炆;许东 | 申请（专利权）人： | 上海新微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国(*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成电容器及其制备方法，该集成电容器包括衬底、介电层、下极板层、第一介质层、凹槽、第二介质层及上极板层，其中，介电层覆盖衬底上表面；下极板层位于介电层的上表面，下极板层沿X方向的长度小于介电层沿X方向的长度；第一介质层中设有凹槽，第一介质层覆盖凹槽两侧介电层的上表面及下极板层的显露表面，凹槽位于下极板层上方，凹槽底面显露出下极板层的上表面；第二介质层覆盖第一介质层上表面及凹槽的内壁和底面；上极板层位于第二介质层的上表面，且上极板层填充凹槽。本发明通过形成位于第一介质层中的凹槽之后，再依次形成第二介质层及填充凹槽的上极板层，避免了形成凹槽时损伤第二介质层，简化了器件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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