[发明专利]具有绝缘层的ND-FE-B磁体的增材制造在审
| 申请号： | 202211425414.X | 申请日： | 2022-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN116206849A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 李万锋;弗朗哥·伦纳迪;迈克尔·W·德格纳 | 申请（专利权）人： | 福特全球技术公司 |
| 主分类号： | H01F7/02 | 分类号： | H01F7/02;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 鲁恭诚;田硕 |
| 地址： | 美国密歇根*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了“具有绝缘层的ND‑FE‑B磁体的增材制造”。提供了永磁体及其制造方法。磁体包括其上设置有绝缘层的磁性层。绝缘层经由诸如激光熔化的增材制造技术形成，使得其具有包括磁相和绝缘相的离散相。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 绝缘 nd fe 磁体 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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