[发明专利]具有绝缘层的ND-FE-B磁体的增材制造在审
申请号: | 202211425414.X | 申请日: | 2022-11-15 |
公开(公告)号: | CN116206849A | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 李万锋;弗朗哥·伦纳迪;迈克尔·W·德格纳 | 申请(专利权)人: | 福特全球技术公司 |
主分类号: | H01F7/02 | 分类号: | H01F7/02;H01F41/02 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 鲁恭诚;田硕 |
地址: | 美国密歇根*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 绝缘 nd fe 磁体 制造 | ||
1.一种永磁体,其包括:
基板;
磁性层,其设置在所述基板上;和
图案化绝缘体,其与基板层相对地设置在所述磁性层上,所述图案化绝缘体包括磁性区段和设置在所述磁性区段之间的绝缘部分。
2.根据权利要求1所述的永磁体,其中所述磁性层包括Nd-Fe-B。
3.根据权利要求1所述的永磁体,其中所述绝缘层包括分层。
4.根据权利要求1所述的永磁体,其中所述绝缘部分包括选自由Cu-P、Al-Si(Ge)、Al-Si(Ge)-Fe(Co,Cr)、陶瓷和玻璃组成的组的至少一者。
5.根据权利要求4所述的永磁体,其中所述绝缘部分包括选自由Cu-P、Al-Si(Ge)、Al-Si(Ge)-Fe(Co,Cr)组成的组的至少一者。
6.根据权利要求1所述的永磁体,其中所述图案化绝缘体限定所述磁性区段和所述绝缘部分的交替或断续的矩形回路。
7.根据权利要求1所述的永磁体,其中所述图案化绝缘体限定所述磁性区段和所述绝缘部分的编织或镶嵌图案。
8.根据权利要求1所述的永磁体,其中覆盖层与所述磁性层相对地设置在所述绝缘层上。
9.根据权利要求8所述的永磁体,其中所述覆盖层包括具有至少106S/m的导电率的材料。
10.根据权利要求8所述的永磁体,其中热障层设置在所述磁性层和所述覆盖层之间。
11.根据权利要求8所述的永磁体,其中所述覆盖层包括磁性部段和导电部段。
12.一种制造永磁体的方法,其包括:
提供基板;
将磁性层设置在所述基板上;
将一个或多个磁性区段逐层设置在所述磁性层上,使得存在一个或多个间隙;以及
将绝缘材料设置在所述一个或多个间隙内,使得所述磁性区段和所述绝缘材料形成具有设置在所述磁性层上的第一图案的绝缘层。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述磁性区段是激光熔化的。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述绝缘材料被熔化并灌注在所述一个或多个间隙中。
15.根据权利要求12所述的方法,其还包括在所述绝缘层上与所述磁性层相对地设置具有第二图案的覆盖层。
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