[发明专利]一种自下而上的原子气室制造装置及方法在审
| 申请号： | 202211410601.0 | 申请日： | 2022-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN115790559A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 窦子媛;刘元正;闫东超;明泽额尔顿 | 申请（专利权）人： | 中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所 |
| 主分类号： | G01C19/58 | 分类号： | G01C19/58;G01R33/02;G04F5/14 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 秦媛媛 |
| 地址： | 710076 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于光学精密制造领域，涉及一种自下而上的原子气室制造装置和制造方法。装置由真空腔、抽气管路、进气管路、放电极板组、绝缘支架、气室、激光器、碱金属源和真空规组成。利用本装置自下而上制造原子气室，能够制备各种气压配比需求的气室，有助于实现订制化制备；减少了气室内壁杂质吸附的弊端，降低了不可控风险。本装置集成度高、制备效率高、二次开发空间大，有利于加速原子气室的技术迭代和核磁共振陀螺、原子钟、磁强计等关键技术的跨代发展。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自下而上 原子 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
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