[发明专利]一种低漏电超级电容及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202211409496.9 申请日: 2022-11-11
公开(公告)号: CN115547698A 公开(公告)日: 2022-12-30
发明(设计)人: 张直上 申请(专利权)人: 皋德科技(浙江)有限公司
主分类号: H01G11/30 分类号: H01G11/30;H01G11/34;H01G11/32;H01G11/24;H01G11/84;H01G11/86
代理公司: 杭州九久专利代理事务所(普通合伙) 33510 代理人: 李如意
地址: 314200 浙江省嘉*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种低漏电超级电容及其制备方法,属于超级电容技术领域。该低漏电超级电容,包括电极、电解液、隔膜和集流体,其特征在于:所述电极包括活性炭、第一导电剂、第二导电剂、第一粘结剂和第二粘结剂,所述活性炭、所述第一导电剂、所述第二导电剂、所述第一粘结剂和所述第二粘结剂的比例分别为88%、4.5%、1.5%、5%和1%。本超级电容在使用时可以降低存储电荷的泄漏,保证超级电容的正常使用,延长超级电容的使用寿命。
搜索关键词: 一种 漏电 超级 电容 及其 制备 方法
【主权项】:
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