[发明专利]高纯SiC晶体的制造方法在审
| 申请号： | 202211396415.6 | 申请日： | 2022-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN116103752A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 金佳福;姜秉昶;朴秉铉;田埈基;郑昌垣;全昇安 | 申请（专利权）人： | OCI有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/36;C30B28/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 谭天;孙雅雯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 高纯SiC晶体的制造方法，本发明涉及制造高纯碳化硅(silicon carbide，SiC)晶体的方法，更具体地，涉及以优秀的收率大量生产杂质的含量极低的高纯SiC的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 sic 晶体 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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