[发明专利]高纯SiC晶体的制造方法

权利要求书

1.一种SiC晶体的制造方法，其为制造高纯SiC晶体的方法，上述SiC晶体的制造方法的特征在于，包括：

步骤i)，准备含有反应腔室的反应器，上述反应腔室包括连接于电源的一对电极以及与上述电极电连接的一对以上的导电发热体；

步骤ii)，对上述导电发热体进行加热；

步骤iii)，混合硅源前体、碳源前体及载气；

步骤iv)，将上述混合气体注入至上述反应腔室；

步骤v)，在上述导电发热体上沉积SiC；以及

步骤vi)，从上述导电发热体分离并获取沉积的SiC晶体。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，上述反应腔室内部的温度为1000℃至1500℃。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将上述导电发热体的温度升温至1000℃至1800℃。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，上述导电发热体选自钼、钨、铂、石墨、碳纤维增强碳、SiC及多晶硅中。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，上述导电发热体具有一对以上的细丝形态。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，上述导电发热体上的SiC沉积速度为10g/hr以上。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，上述硅源前体为选自三氯硅烷、二氯硅烷、四氯化硅及甲硅烷中的一种以上。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，上述硅源前体为三氯硅烷。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，上述碳源前体为丙烷，即，C₃H₈。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，上述载气为氢气，即，H₂。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，上述混合气体中的硅源前体与碳源前体之间的Si∶C的原子比为0.5∶1～2∶1。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，上述混合气体中的硅源前体与碳源前体之间的Si∶C的原子比为1∶1。

13.一种SiC晶体，通过权利要求1至12中任一项所述的方法制造，其特征在于，纯度为6N以上。

14.根据权利要求13所述的SiC晶体，其特征在于，具有β相的单相。

15.根据权利要求13所述的SiC晶体，其特征在于，具有α相与β相共存的复合相。

16.根据权利要求13所述的SiC晶体，其特征在于，金属杂质的总含量为1ppm以下。