[发明专利]用于NMOS装置接触部的金属碳阻挡区在审
| 申请号： | 202211389785.7 | 申请日： | 2022-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN116259654A | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | A·森古普塔;G·W·杜威;S·舒克赛;N·哈拉蒂普;J·T·卡瓦列罗斯;M·V·梅茨;S·B·克伦德宁;J·C·雷塔什凯特;E·O·小约翰逊 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/78;H10B12/00;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述的是带有具有阻挡区的源极和漏极(S/D)接触部的集成电路装置。S/D接触部将电流传导到半导体装置并且从半导体装置传导电流，例如，传导到晶体管的源极区和漏极区。阻挡区形成在S/D区和内部导电结构之间，并且降低了在S/D区和接触部之间的肖特基势垒高度。阻挡区可以包括一个或多个碳层以及一个或多个金属层。金属层可以包括铌、钽、铝或钛。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 nmos 装置 接触 金属 阻挡 | ||
【主权项】：
暂无信息
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