[发明专利]亚稳相稀土镍基氧化物电子相变半导体非贵金属接触电极在审
| 申请号： | 202211384987.2 | 申请日： | 2022-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN115732317A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 陈吉堃;李子昂;高景鑫 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学;北京低碳清洁能源研究院 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;G01N27/414;C23C14/18;C23C14/24;C23C14/35;C23C16/06 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种使用铂、金、钯以外金属作为稀土镍基氧化物电极，通过控制金属电极与稀土镍基氧化物的功函数匹配特性，实现对稀土镍基氧化物的低阻欧姆接触并调控氢致电子相变速率的技术方法。针对稀土镍基氧化物的电子、空穴混合载流子电输运机制，本发明可通过高功函数金属或合金接触实现空穴主导输运下的低阻欧姆接触，亦可通过低功函数金属或合金接触实现电子主导输运下的低阻欧姆接触。此外，通过调控金属与稀土镍基氧化物的功函数匹配关系，控制氢气或混合氢气气氛下稀土镍基氧化物的氢致电子相变速率及电阻率突变程度。本发明所提供技术可应用于突变式热敏电阻的低阻欧姆接触、场效应晶体管、逻辑器件、可重构电子器件等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 亚稳相 稀土 氧化物 电子 相变 半导体 贵金属 接触 电极 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
