[发明专利]一种激光芯片与硅光芯片的光耦合结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202211370464.2 | 申请日： | 2022-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN115728882A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 冒芯蕊;李艳平;储子昊;冉广照 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 贾瑞华 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种激光芯片与硅光芯片的光耦合结构，包括激光芯片、全内反射转接结构和硅光芯片，所述激光芯片和所述全内反射转接结构均设置在所述硅光芯片上，所述全内反射转接结构为尖劈形，所述全内反射转接结构的第一侧面覆盖所述激光芯片的出光端口，所述全内反射转接结构的第二侧面覆盖所述硅光芯片的耦合端面，所述耦合端面上设置有入射光栅和无源波导区，所述全内反射转接结构的第三侧面为全反射面；所述全内反射转接结构用于将所述激光芯片的出射光经全内反射后输入到所述硅光芯片的耦合端面。本发明采用激光芯片与硅光芯片的入射光栅进行水平耦合封装，降低了封装成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 芯片 耦合 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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