[发明专利]高载流子迁移率的NMOS晶体管生产设备及方法在审
| 申请号： | 202211364629.5 | 申请日： | 2022-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN115642109A | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 涂振坤 | 申请（专利权）人： | 深圳力堃科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L23/10;H01L23/367 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高载流子迁移率的NMOS晶体管生产设备，包括装配区域，装配区域的旁侧设置有NMOS晶体管安装装置、散热装配体安装装置及散热翅片安装装置，NMOS晶体管安装装置将NMOS晶体管原件导送至装配区域内，散热装配体安装装置用于将散热装配体导送至装配区域内，散热翅片安装装置将散热翅片导送至装配区域内且与散热装配体进行安装，封装盖体安装装置将封装盖体导送至装配区域内且实现封装盖体的安装，该NMOS晶体管生产设备在实际生产时，通过NMOS晶体管安装装置、散热装配体安装装置、散热翅片安装装置及封装盖体安装装置实施对上述各个部件的封装，最终形成具备高效率散热功能的高载流子迁移率的NMOS晶体管，能够对在转运过程中晶体管可靠的保护。 | ||
| 搜索关键词： | 载流子 迁移率 nmos 晶体管 生产 设备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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