[发明专利]一种低EMI沟槽肖特基二极管在审
| 申请号： | 202211356275.X | 申请日： | 2022-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN115881828A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 单亚东;谢刚;胡丹 | 申请（专利权）人： | 广微集成技术（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/41;H01L29/417;H01L29/06 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 袁鸿 |
| 地址： | 518054 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种低EMI沟槽肖特基二极管，包括：阳极(101)，金属，与外延层(202)之间肖特基接触，所述外延层(202)内设置有多晶硅区域(203)，所述多晶硅(203)的部分区域与所述阳极(101)接触，且所述阳极(101)在有源区域与所述多晶硅(203)之间通过介质层(302)隔离，其中所述有源区域大于所述部分区域；外延层(202)，设置在所述阳极(101)和衬底层(201)之间，其内设置有多晶硅区域(203)，所述多晶硅(203)除与所述阳极(101)接触部分区域之外的区域，基于所述介质层(302)以及栅氧化层(301)形成包裹；衬底层(201)，设置在阴极(102)和外延层(202)之间；阴极(102)，金属。本申请的肖特基二极管能够实现在不影响沟槽肖特基二极管的其他特性的情况下，降低沟槽肖特基二极管关断时的EMI噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 emi 沟槽 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
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