[发明专利]一种低EMI沟槽肖特基二极管在审
| 申请号： | 202211356275.X | 申请日： | 2022-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN115881828A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 单亚东;谢刚;胡丹 | 申请（专利权）人： | 广微集成技术（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/41;H01L29/417;H01L29/06 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 袁鸿 |
| 地址： | 518054 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 emi 沟槽 肖特基 二极管 | ||
1.一种低EMI沟槽肖特基二极管，其特征在于，包括：
阳极(101)，金属，与外延层(202)之间肖特基接触，所述外延层(202)内设置有多晶硅区域(203)，所述多晶硅(203)的部分区域与所述阳极(101)接触，且所述阳极(101)在有源区域与所述多晶硅(203)之间通过介质层(302)隔离，其中所述有源区域大于所述部分区域；
外延层(202)，设置在所述阳极(101)和衬底层(201)之间，其内设置有多晶硅区域(203)，所述多晶硅(203)除与所述阳极(101)接触部分区域之外的区域，基于所述介质层(302)以及栅氧化层(301)形成包裹；
衬底层(201)，设置在阴极(102)和外延层(202)之间；
阴极(102)，金属。
2.如权利要求1所述的低EMI沟槽肖特基二极管，其特征在于，所述多晶硅区域(203)为轻掺杂，或，自然掺杂，其中所述轻掺杂用以掺杂杂质；
所述多晶硅区域(203)的离子注入剂量满足1e11-1e12cm-2；
所述多晶硅区域(203)的电阻率满足103Ω.cm-106Ω.cm。
3.如权利要求1所述的低EMI沟槽肖特基二极管，其特征在于，所述阳极(101)在末端边缘(204)区域与所述多晶硅(203)的部分区域接触。
4.如权利要求1所述的低EMI沟槽肖特基二极管，其特征在于，所述多晶硅区域(203)为SIPOS结构。
5.如权利要求1所述的低EMI沟槽肖特基二极管，其特征在于，所述衬底层(201)为重掺杂N型衬底层，所述外延层(202)为轻掺杂N型外延层。
6.如权利要求1所述的低EMI沟槽肖特基二极管，其特征在于，所述介质层(302)为二氧化硅或氮化硅，其厚度为0.5μm-2μm。
7.如权利要求1所述的低EMI沟槽肖特基二极管，其特征在于，所述阳极(101)为采用钛、镍、钒，或，铂制成。
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