[发明专利]半导体材料/器件的锁相载流子辐射测试系统与方法在审

专利信息
申请号: 202211353010.4 申请日: 2022-10-31
公开(公告)号: CN115561208A 公开(公告)日: 2023-01-03
发明(设计)人: 高鹏;周超成;田清勇;范斌 申请(专利权)人: 昆山协鑫光电材料有限公司
主分类号: G01N21/63 分类号: G01N21/63
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 赵世发
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种半导体材料/器件的锁相载流子辐射测试系统与方法。所述的测试系统部分包括计算机、函数发生器、锁相放大器、激光器、探测器和三维移动样品台等,计算机一方面控制函数发生器使激光器对半导体样品施加光激励或使函数发生器对半导体样品施加电激励,以探测器采集测样产生的光致/电致载流子辐射信号,以锁相放大器对光致/电致载流子辐射信号进行锁相处理并传输至计算机,计算机对经锁相处理后的载流子辐射信号进行数据处理分析,从而实现对半导体样品的光致/电致载流子辐射测试。本发明采用激光激励/电激励激发样品中的载流子辐射信号,结合锁相处理实现测样载流子辐射信号的测试,具有高信噪比、快速高效、无损检测的优点。
搜索关键词: 半导体材料 器件 载流子 辐射 测试 系统 方法
【主权项】:
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