[发明专利]二维氮化镓晶体的制备方法在审
| 申请号： | 202211351439.X | 申请日： | 2022-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN115652436A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 吴伟汉;宋文涛;徐耿钊;刘争晖;张春玉;陈科蓓;韩厦;徐科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B33/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 周仁青 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种二维氮化镓晶体的制备方法，所述制备方法包括：S1、制备二维硒化镓或二维硫化镓晶体；S2、将二维硒化镓或二维硫化镓晶体置于等离子体发生装置的真空腔室中，并通入氮源使二维硒化镓或二维硫化镓晶体发生氮化反应，用氮原子替换硒原子或硫原子，得到二维氮化镓晶体。本发明通过对二维硒化镓或二维硫化镓晶体进行氮化，用氮原子替换硒化镓中的硒原子或硫化镓中的硫原子，可以实现二维氮化镓的低温生长，且可以控制氮化镓的生长厚度，生长出来的氮化镓结晶性好且高度平整，为高性能器件的制备奠定了良好的基础。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 氮化 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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