[发明专利]单晶生长用的坩埚支柱在审
| 申请号： | 202211339643.X | 申请日： | 2022-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN115652413A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 徐峰;宋亚滨;翟虎;林宏达;孙金梅;秦俊 | 申请（专利权）人： | 新疆蓝晶新材料科技有限公司;东旭科技集团有限公司;东旭集团有限公司 |
| 主分类号： | C30B17/00 | 分类号： | C30B17/00;C30B29/20 |
| 代理公司： | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 | 代理人： | 张兵 |
| 地址： | 843004 新疆维吾尔自治区阿克苏地区*** | 国省代码： | 新疆;65 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及一种单晶生长用的坩埚支柱，包括：支柱本体，内部中心设有沿其轴向延伸且顶部开口的中空腔；和填充物，中心设有供拆卸工具穿过的通孔，所述填充物设有多种，多种所述填充物可选择地放置在所述中空腔内以调整所述坩埚支柱的导热率，所述填充物构造为块状，所述填充物的外径与所述中空腔的内径对应以叠加放置在所述中空腔内。本公开设有支柱本体和多种填充物，支柱本体内设有中空腔，多种所述填充物可选择地放置在所述中空腔内以调整所述坩埚支柱的导热率，通过调整坩埚支柱的导热率可以对单晶生长时的温度梯度进行调整，也就是调整长晶炉内坩埚的温度梯度，避免因长晶炉内保温材料变形导致的晶体质量问题，提升晶体产能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 坩埚 支柱 | ||
【主权项】：
暂无信息
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