[发明专利]一种基于二维晶体过渡层的氮化铝复合衬底的制备方法有效
| 申请号： | 202211331536.2 | 申请日： | 2022-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN115832122B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 王新强;刘放;陈兆营;盛博文;郭昱成;沈波 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于二维晶体过渡层的氮化铝复合衬底的制备方法。本发明采用图形化掩模板，图形化掩模板具有多个互相平行且均平行于掩膜基体晶向的带状的通孔，通过图形化掩模板依次沉积BON、BN和AlN，化学刻蚀得到复合平片结构后，沉积AlN平层，再高温退火热处理，重结晶形成单晶的具有图形化的h‑BN和h‑BON，构成二维晶体过渡层；采用的材料体系的外延工艺兼容，能够采用通用设备制造，工艺简单，设备需求低；通过高温退火和高温诱导重结晶等方案制备高质量AlN复合衬底，通过图形化的h‑BN和h‑BN有效弛豫外延衬底和上层AlN的界面失配问题，能够实现对上层AlN薄膜和AlN平层应力状态与晶体质量的有效调控，适于大规模产业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 晶体 过渡 氮化 复合 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
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