[发明专利]超导薄膜制备方法、超导薄膜、量子器件及量子芯片在审
| 申请号： | 202211329048.8 | 申请日： | 2022-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN115666213A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 应马可 | 申请（专利权）人： | 阿里巴巴达摩院（杭州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N60/85 | 分类号： | H10N60/85;H10N60/10;H10N60/01;C23C16/34;C23C16/52;G06N10/20;G06N10/40 |
| 代理公司： | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人： | 曾红芳 |
| 地址： | 310023 浙江省杭州市余杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种超导薄膜制备方法、超导薄膜、量子器件及量子芯片。其中，该方法包括：将第一超导薄膜所处的第一气氛环境由第一温度升高至第二温度，使第一超导薄膜处于第二气氛环境，其中，第一超导薄膜为沉积在衬底上的超导材料；在第二气氛环境达到第二温度后，向第二气氛环境中持续通入氢原子并维持预定时长，使第一超导薄膜处于第三气氛环境，以使得氢原子填入第一超导薄膜的微观尺度上的晶体结构缺陷，其中，第二温度用于维持氢原子的自由状态；在预定时长之后，将第三气氛环境的温度由第二温度降低至第三温度，制备得到第二超导薄膜，其中，第三温度低于第一温度。本发明解决了量子电路中采用的超导薄膜的动态电感不够高的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 超导 薄膜 制备 方法 量子 器件 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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