[发明专利]太阳电池的制备方法和太阳电池在审
申请号: | 202211322806.3 | 申请日: | 2022-10-27 |
公开(公告)号: | CN115663066A | 公开(公告)日: | 2023-01-31 |
发明(设计)人: | 魏科胜;余义;王金;徐磊 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(安徽)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L21/768 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 孟嘉欣 |
地址: | 230031 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本公开提供了一种太阳电池的制备方法和太阳电池。该太阳电池的制备方法包括如下步骤:在太阳电池基片的透明导电薄膜上制备阻挡层;通过化学镀铜的方式,在阻挡层上制备第一铜种子层;通过溅射的方式,在第一铜种子层上制备第二铜种子层;在第二铜种子层上制备栅线电极。通过第一铜种子层和第二铜种子层的结合,在保证透明导电薄膜不受损伤的情况下,还有效保证了铜种子层的导电性,铜种子层与透明导电薄膜之间的电接触性能得到有效提升,进而制备的太阳电池的效率也得到了显著提高。 | ||
搜索关键词: | 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的