[发明专利]激光剥离工件的方法及晶片、半导体器件在审
| 申请号： | 202211314605.9 | 申请日： | 2022-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN115635183A | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 李春昊;翁铭杰;王金生;李迁;王博;仰瑞;巫礼杰;尹建刚;高云峰 | 申请（专利权）人： | 深圳市大族半导体装备科技有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/00 | 分类号： | B23K26/00;B23K26/70;H01L21/78;B23K101/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种激光剥离工件的方法及晶片、半导体器件，激光剥离工件的方法，包括采用短脉波宽度的脉冲激光聚焦于工件内部的预设剥离面，以在所述工件内部的预设剥离面形成改质点，采用长脉波宽度的脉冲激光聚焦于所述改质点，以在所述改质点处形成改质区以及沿所述预设剥离面的径向方向延伸的裂纹；沿所述预设剥离面将所述工件分割成第一工件单元与第二工件单元。本申请提供的激光剥离工件的方法，使得工件可以很容易的剥离，且可避免裂纹沿轴向方向延伸导致工件碎裂进而导致产品加工质量低下的问题，且可避免由于采用线锯切割的方式或机械减薄的方式导致材料损耗严重且效率低下等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 剥离 工件 方法 晶片 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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