[发明专利]存储器装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202211300682.9 | 申请日： | 2022-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN116761430A | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 金大炫;金世渊 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/30 | 分类号： | H10B43/30;H10B43/20;H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 杨雪玲;叶朝君 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本文可以提供存储器装置及其制造方法。一种存储器装置可以包括：多个绝缘层和多条选通线，其被配置为交替地层叠；以及单元插塞，其被配置为穿过多个绝缘层和多条选通线，其中，每条由导电材料制成的多条选通线与多个绝缘层一起被蚀刻，并且单元插塞包括阻挡层、电荷俘获层、隧道绝缘层、沟道层和芯柱。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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