[发明专利]一种高阻尼镁合金的制备方法有效
| 申请号： | 202211265931.5 | 申请日： | 2022-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN115595520B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 游志勇;高晶磊;蒋傲雪 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | C22F1/06 | 分类号： | C22F1/06;C22C23/00 |
| 代理公司： | 北京盛询知识产权代理有限公司 11901 | 代理人： | 张焱 |
| 地址： | 030024 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高阻尼镁合金的制备方法，属于合金材料制备技术领域；对镁合金进行固溶、时效处理，之后进行ECAP变形处理，得到所述高阻尼镁合金；所述固溶处理的温度与所述ECAP变形处理的温度相同。本发明通过ECAP变形来制备含有高熔点τ相的高阻尼镁合金，采用了适合的热处理工艺，让组织成分均匀，减小偏析发生，其在特定温度进行保温，达到提高阻尼性能的目的。ECAP变形使镁合金组织中产生大量位错，形成位错阻尼，从而使得材料阻尼性能提升。本发明在等通道挤压变形的同时，结合固溶强化，共同提高镁合金的阻尼性能；通过将等通道挤压变形的挤压温度设置为与固溶处理温度相同，进一步提高了其阻尼性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阻尼 镁合金 制备 方法 | ||
【主权项】：
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