[发明专利]基于压电片可控纳米间隙的单分子结制备方法和应用有效
| 申请号： | 202211262272.X | 申请日： | 2022-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN115636389B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 向东;尹凯凯;赵雪妍;张旭斌;许晓娜;王懋宁 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82B1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 齐宝玲 |
| 地址： | 300350 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于压电片可控纳米间隙的单分子结制备方法，包括：压电片、驱动电极、绝缘层、带有预环切的金线；压电片为基片/衬底；压电片的上下表面均设置有驱动电极；绝缘层位于驱动电极的上层；带有预环切的金线固定在绝缘层上；当驱动电压施加至驱动电极时，所述压电片将发生横向/水平变形，固定在绝缘层上的金线被相应拉伸，精确控制纳米间隙大小。本发明通过使用水平方向膨胀的压电片构建具有埃级调节精度的原位可调片上金属纳米间隙，进一步发展为平面内的可控裂结；为以单分子作为构建模块制造出具有集成潜力的片上器件提供技术支撑。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 压电 可控 纳米 间隙 分子 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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