[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202211250921.4 | 申请日： | 2022-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN115513142A | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 刘昊炎;李永亮;王晓磊;罗军;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，以在第一沟道区和第二沟道区的材质不同的情况下，降低CFET器件的制造难度。所述半导体器件的制造方法包括：在半导体基底上形成鳍状结构。鳍状结构包括依次设置的第一沟道形成部、牺牲隔离部和第二沟道形成部。沿鳍状结构的宽度方向，并在第一保护层的保护作用下，仅对第二沟道形成部包括的第一半导体层进行横向减薄处理，以在第二沟道形成部包括的第一半导体层的两侧形成凹口。在凹口内形成第二保护层。至少依次去除第一保护层、以及牺牲隔离部包括的第一半导体层。在第三保护层的保护作用下，仅去除牺牲隔离部包括的第二半导体层和第二沟道形成部包括的第二半导体层。并去除第二保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211250921.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种防积液球阀
- 下一篇：一种基于数字高程模型数据的地杂波模拟方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
