[发明专利]一种阵列基膜、电池集流体、电池极片、电池及其制备方法在审
| 申请号： | 202211245525.2 | 申请日： | 2022-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN115440990A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 庄志;郭桂略;蔡裕宏;刘洋;虞少波;程跃 | 申请（专利权）人： | 上海恩捷新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/66 | 分类号： | H01M4/66;H01M4/02;H01M4/04;H01M10/04;H01M50/536 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 李雪娇 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种阵列基膜、电池集流体、电池极片、电池及其制备方法，属于柔性电子元器件领域。阵列基膜包括呈阵列分布的多个第一区域以及与第一区域交替分布的第二区域，第一区域包括有机聚合物层，第二区域包括有机聚合物层以及位于有机聚合物层表面和内部的导电金属，通过该阵列基膜，能够在一定程度上解决柔性导电薄膜与极耳焊接困难以及焊接不良等问题，从而有效降低极耳与极片间的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 电池 流体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海恩捷新材料科技有限公司，未经上海恩捷新材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211245525.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电池片的返工处理方法
- 下一篇：一种纳米超材料及其制备方法和应用
