[发明专利]一种阵列基膜、电池集流体、电池极片、电池及其制备方法在审
申请号: | 202211245525.2 | 申请日: | 2022-10-12 |
公开(公告)号: | CN115440990A | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 庄志;郭桂略;蔡裕宏;刘洋;虞少波;程跃 | 申请(专利权)人: | 上海恩捷新材料科技有限公司 |
主分类号: | H01M4/66 | 分类号: | H01M4/66;H01M4/02;H01M4/04;H01M10/04;H01M50/536 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 李雪娇 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 电池 流体 及其 制备 方法 | ||
1.一种阵列基膜,其特征在于,包括呈阵列分布的多个第一区域以及与所述第一区域交替分布的第二区域,所述第一区域包括有机聚合物层,所述第二区域包括有机聚合物层以及位于所述有机聚合物层表面和内部的导电金属。
2.根据权利要求1所述的阵列基膜,其特征在于,所述阵列分布的形式为线性阵列;或者所述阵列分布的形式为矩形阵列。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基膜,其特征在于,所述阵列基膜的厚度为500~20000nm。
4.根据权利要求1或2所述的阵列基膜,其特征在于,所述导电金属包括Ni、Zn、Cu、Co、Mn、Ti、Ga、Ge、Sn、Sb、Zr、Mo、Al、Cr、Ag以及对应元素的合金中的一种或多种。
5.一种电池集流体,其特征在于,包括:
金属导电层;以及
如权利要求1~4中任一项所述的阵列基膜,在所述阵列基膜的厚度方向上,所述金属导电层位于所述阵列基膜的一侧或两侧;
或者,
金属粘结层;以及
如权利要求1~4中任一项所述的阵列基膜,在所述阵列基膜的厚度方向上,所述金属粘结层位于所述第一区域的一侧或两侧。
6.根据权利要求5所述的电池集流体,其特征在于,所述金属导电层的厚度为200~5000nm。
7.根据权利要求5或6所述的电池集流体,其特征在于,所述金属导电层同所述第一区域和所述第二区域均对应设置。
8.一种电池集流体,其特征在于,包括:
非金属导电层;以及
如权利要求1~4中任一项所述的阵列基膜,在所述阵列基膜的厚度方向上,所述非金属导电层位于所述第一区域的一侧或两侧。
9.一种电池极片,其特征在于,包括:
如权利要求5~8中任一项所述的电池集流体以及位于所述电池集流体表面的活性涂层。
10.一种电池,其特征在于,包括如权利要求9所述的电池极片。
11.一种阵列基膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
形成呈阵列分布的多个第一区域以及与所述第一区域交替分布的第二区域,所述第一区域包括有机聚合物层,所述第二区域包括有机聚合物层以及位于所述有机聚合物层表面和内部的导电金属。
12.根据权利要求11所述的阵列基膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
将制备所述阵列基膜的聚合物原料和溶剂混合,得到第一前驱液;
向部分所述第一前驱液中加入无机颗粒并混合,得到第二前驱液;
交替使用所述第一前驱液和所述第二前驱液制备得到所述聚合物层;其中,所述第一前驱液对应所述第一区域,所述第二前驱液对应所述第二区域;
将所述聚合物层浸入造孔液,以溶解所述第二区域内的无机颗粒并形成孔洞;
将制备所述导电金属的原料施加到所述孔洞内,通过化学镀沉积技术形成所述导电金属。
13.根据权利要求12所述的阵列基膜的制备方法,其特征在于,所述第二区域的方阻为50-10000mΩ/□。
14.根据权利要求12所述的阵列基膜的制备方法,其特征在于,所述无机颗粒的粒径为100~2000nm。
15.根据权利要求12~14中任一项所述的阵列基膜的制备方法,其特征在于,所述无机颗粒包括无机盐颗粒、过渡金属氧化物颗粒、过渡金属硫化物颗粒、金属单质及其合金中的一种或多种。
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