[发明专利]一种低损耗硅光芯片的端面耦合结构在审
| 申请号： | 202211245081.2 | 申请日： | 2022-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN115693389A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 武爱民;吕东升;冯大增;李昂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/12;H01S5/028;G02B6/42 |
| 代理公司： | 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 | 代理人： | 钱文斌 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低损耗硅光芯片的端面耦合结构，包括硅衬底，所述硅衬底上设有激光器安装区，所述激光器安装区的一侧且在硅衬底上设置有埋氧层，所述埋氧层上设置有浅刻蚀区，所述埋氧层和浅刻蚀区形成的截面刻蚀有斜切端面，所述斜切端面用于减小反射损耗，所述浅刻蚀区上设置有面对激光器安装区的脊波导，所述脊波导的入射端位于斜切端面处。本发明可以实现较高的耦合效率与对准容差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 损耗 芯片 端面 耦合 结构 | ||
【主权项】：
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