[发明专利]量子点薄膜及电子器件在审
| 申请号： | 202211234195.7 | 申请日： | 2022-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN115566126A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 章泽 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/60 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 孟霞 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种量子点薄膜及电子器件，所述量子点薄膜包括：第一基底层、第二基底层和夹设于所述第一基底层和第二基底层之间的量子点层；反光层，位于所述量子点薄膜的侧边且覆盖所述量子点层的侧壁，所述反光层的反射面朝向所述量子点层，所述反光层的宽度大于所述量子点层的厚度且小于等于所述量子点薄膜的厚度；所述反光层的宽度为所述量子点薄膜的厚度方向上的尺寸大小。本发明通过在量子点薄膜的侧边设置反光层，提高了量子点薄膜的边缘亮度，改善了量子点薄膜边缘失效的问题，提升了电子器件的画面品味及整体亮度均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 薄膜 电子器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司，未经武汉华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211234195.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
