[发明专利]量子点薄膜及电子器件

说明书

本发明提供了一种量子点薄膜及电子器件，所述量子点薄膜包括：第一基底层、第二基底层和夹设于所述第一基底层和第二基底层之间的量子点层；反光层，位于所述量子点薄膜的侧边且覆盖所述量子点层的侧壁，所述反光层的反射面朝向所述量子点层，所述反光层的宽度大于所述量子点层的厚度且小于等于所述量子点薄膜的厚度；所述反光层的宽度为所述量子点薄膜的厚度方向上的尺寸大小。本发明通过在量子点薄膜的侧边设置反光层，提高了量子点薄膜的边缘亮度，改善了量子点薄膜边缘失效的问题，提升了电子器件的画面品味及整体亮度均一性。

技术领域

本申请涉及显示领域，尤其涉及一种量子点薄膜及电子器件。

背景技术

为追求超高色域的画面品味，目前越来越多的背光源选择用蓝光源+量子点(Quantum Dot，简称QD)的方式实现。但是量子点受本身化学性质决定，极易受到水氧侵蚀，从而无法被蓝光芯片光致激发出红绿光而混成白光源，形成绿光或红光不正常的失效模式。

发明内容

本发明提供一种量子点薄膜及电子器件，以提高量子点薄膜的边缘亮度，改善量子点薄膜边缘失效的问题，提升电子器件的画面品味及整体亮度均一性。

为解决以上问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种量子点薄膜，所述量子点薄膜包括：

第一基底层、第二基底层和夹设于所述第一基底层和第二基底层之间的量子点层；

反光层，位于所述量子点薄膜的侧边且覆盖所述量子点层的侧壁，所述反光层的反射面朝向所述量子点层，所述反光层的宽度大于所述量子点层的厚度且小于等于所述量子点薄膜的厚度；所述反光层的宽度为所述量子点薄膜的厚度方向上的尺寸大小。

可选地，在本发明的一些实施例中，所述反光层还覆盖所述第一基底层的至少部分侧壁和/或所述第二基底层的至少部分侧壁。

可选地，在本发明的一些实施例中，所述反光层覆盖所述第一基底层的整个侧壁和所述第二基底层的整个侧壁。

可选地，在本发明的一些实施例中，所述反光层包括相对的第一侧边和第二侧边，所述第一侧边与所述第一基底层远离所述第二基底层的表面齐平，所述第二侧边与所述第二基底层远离所述第一基底层的表面齐平。

可选地，在本发明的一些实施例中，所述反光层的厚度小于10微米；所述反光层的厚度为垂直于所述量子点薄膜的厚度方向上的尺寸大小。

可选地，在本发明的一些实施例中，所述反光层包括反光涂层和水氧阻隔层，所述水氧阻隔层位于所述反光涂层靠近所述量子点层的一侧。

可选地，在本发明的一些实施例中，所述水氧阻隔层包括氮化硅和/或氧化硅，或者聚对苯二甲酸乙二醇酯。

可选地，在本发明的一些实施例中，所述反光层为银反光层、白反光层、增强镜面反光层中的任意一种。

可选地，在本发明的一些实施例中，所述反光层和所述量子点层通过紫外光固化胶或热固胶粘接在一起。

本发明还提供一种电子器件，包括本发明任意一项实施例所述的量子点薄膜和蓝色光源，所述量子点薄膜位于所述蓝色光源的出光方向上。