[发明专利]一种火箭筒段基准刻线偏扭测量方法在审

专利信息
申请号: 202211230506.2 申请日: 2022-10-08
公开(公告)号: CN115655101A 公开(公告)日: 2023-01-31
发明(设计)人: 余华昌;毛志勇;陈继刚;王祥;祝卿;沈惠峰;武博 申请(专利权)人: 上海精密计量测试研究所
主分类号: G01B11/00 分类号: G01B11/00
代理公司: 上海航天局专利中心 31107 代理人: 唐敏
地址: 201109 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种火箭筒段基准刻线偏扭测量方法,其特征在于,包括下述步骤:将左侧激光雷达(1)、右侧激光雷达(2)置于将被测量的火箭筒段(6)的左右两侧;将被测量的火箭筒段(6)的置于测量区域内,将基准刻线测量引导装置(3)装在火箭筒段法兰盘(7)上,并使基准刻线测量引导装置(3)对齐基准刻线(5);安装标准靶球(4);获得火箭筒段(6)标准靶球(4)坐标;测量获取的标准靶球(4)点坐标进行空间点坐标换算,从而实现对基准刻线偏扭的测量。本发明能够使得火箭筒段的基准刻线偏扭得到准确测量,该测量方法具有操作简单、通用性强、测量准确度高、测量稳定性高、工作可靠等优点,实用性与经济效益显著。
搜索关键词: 一种 火箭筒 基准 刻线偏扭 测量方法
【主权项】:
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