[发明专利]晶圆冷却器、晶圆冷却方法及晶圆冷却装置在审
| 申请号： | 202211225445.0 | 申请日： | 2022-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN115588632A | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 鄢林升 | 申请（专利权）人： | 杭州富芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C30B33/12;F25D31/00;F25D17/04 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 丁俊萍;王律强 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种晶圆冷却器、晶圆冷却方法及晶圆冷却装置，其用于冷却晶圆，包括：腔体、抽气装置和冷却媒介输入装置。腔体用于存放晶圆。抽气装置和腔体连通，其中，腔体包括封闭状态，抽气装置用于将处于封闭状态的腔体抽成真空腔。冷却媒介输入装置和腔体连通，冷却媒介输入装置用于输入冷却媒介到真空腔中以冷却晶圆。本申请解决了在冷却晶圆及清除晶圆上的腐蚀性气体时，现有晶圆冷却器存在微尘容易进入造成晶圆缺陷的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 冷却器 冷却 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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