[发明专利]发光二极管及发光装置有效

专利信息
申请号: 202211209957.8 申请日: 2022-09-30
公开(公告)号: CN115295698B 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 张丽明;唐荷映;马全扬;陈星榕;杨人龙;张中英 申请(专利权)人: 泉州三安半导体科技有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/42;H01L33/20
代理公司: 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 代理人: 曾启航
地址: 362343 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种发光二极管及发光装置,发光二极管包括半导体叠层、透明导电层、第一电极和第二电极,半导体叠层由下表面到上表面依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层,透明导电层位于第二半导体层之上,第一电极位于第一半导体层之上,第二电极位于透明导电层之上,从发光二极管的上方朝向半导体叠层俯视,半导体叠层具有一最短侧边,最短侧边的尺寸为x,透明导电层具有至少一个倒角部,倒角部的曲率半径范围为15~x/2。借此,可以使得透明导电层的电流横向扩散能力所带来的有益出光效果是大于遮光所带来的负面出光效果,进而提升发光二极管的外量子效率,加强出光性能。
搜索关键词: 发光二极管 发光 装置
【主权项】:
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