[发明专利]原子层刻蚀反应装置及刻蚀方法在审
| 申请号： | 202211208673.7 | 申请日： | 2022-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN115547803A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 刘磊;唐继远;张洪国 | 申请（专利权）人： | 江苏鹏举半导体设备技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 226010 江苏省南通市开*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明的实施例公开了一种原子层刻蚀反应装置，其中原子层刻蚀反应装置包括：真空机构，真空机构为原子层刻蚀反应提供场所；离子源，与真空机构相连通，离子源用于在真空机构内部产生离子场，形成一定的离子束流分布；平台总成，平台总成设置在真空机构内部并用于承载基片；其中，在平台总成的带动下，基片在离子场中按照预设路径变换位置以按预设图案被刻蚀。根据本发明，以精准调控基片表面离子或中性粒子的能量，实现基片的原子层刻蚀。本发明还公开了一种刻蚀方法。 | ||
| 搜索关键词： | 原子 刻蚀 反应 装置 方法 | ||
【主权项】：
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